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欲“速”则“达” 突破存储性能瓶颈的全新方法论

【发布时间:2021-06-29】

闪存—存储行业的大势所趋。

全闪存储呈现全面爆发之势。随着产业链的不断升级,越来越多的企业选择全闪存储构筑业务集群,以期在不同的业务场景下带来全面的性能突破。然而,对于拥有高性能计算、大数据分析、人工智能、8K超高清等业务的用户,即使拥抱全闪,却仍面临“欲速不达”的困境。

对此

如何让全闪存储在多样化的场景下释放潜能?

如何突破SATA、SAS协议对全闪性能的限制?

如何满足业务对超高读写与超低延迟的强烈诉求?

紫光股份旗下新华三集团带来2项核心科技,采用全NVMe释放闪存潜能,并应用SCM存储级内存这项黑科技,让时延轻松降到纳秒级,从而实现存储性能的全面突破。

SCM与NVMe的结合,真正释放出全闪潜能,成就了新华三集团集中式和分布式存储新品的较佳性能,让存储成为业务极速变革的核心引擎。7月8日,“智以致用 速达未来”新华三存储新品发布会即将盛大启幕,扫描二维码或点击“阅读原文”预约观看直播,您将见证新华三集中式和分布式存储新品的到来,收获“欲速则速”的使用体验。

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